2019年砷化鎵行業發展規模和市場格局分析 國內砷化鎵規模前景向好 相關上市企業數量較少
根據前瞻測算，2012-2018年，我國砷化鎵元件市場經歷了快速增長期。2018年，我國砷化鎵元件市場規模達到238.36億元，同比增長3.72%，增速放緩的原因主要是下游智能手機市場飽和，用于智能手機的PA需求量減少。從國內上市企業來看，目前涉及砷化鎵業務的公司數量總體較少，其中三安光電、乾照光電在LED領域應用方面較為成熟，能夠做到垂直整合。
2018年砷化鎵元件市場規模增速放緩
1962年，在林蘭英院士的帶領下，中國研制出了我國第一個GaAs單晶樣品。1964年，我國第一只GaAs二極管激光器被成功研制出來。由于在半導體材料上的諸多貢獻，林蘭英被譽為“中國太空材料之母”。
2001年，北京有色金屬研究總院成功研制出國內第一根直徑4英寸VCZ半絕緣砷化鎵單晶，使我國成為繼日本、德國之后第三個掌握此項技術的國家。
由于受到成本和技術上的限制，GaAs晶圓廠必須具備一定級別的投資規模和長時間制程技術的開發，因此這類企業擁有極高的準入門檻，國內能夠形成一定體量的廠商屈指可數。在經過多年積淀過，我國臺灣地區在制程技術上擁有了極大優勢，收獲了全球諸多委外代工訂單，也形成了臺灣獨特的代工產業模式。
根據前瞻測算，2012-2018年，我國砷化鎵元件市場經歷了快速增長期。2018年，我國砷化鎵元件市場規模達到238.36億元，同比增長3.72%，增速放緩的原因主要是下游智能手機市場飽和，用于智能手機的PA需求量減少。
我國砷化鎵元件市場規模前景預測
砷化鎵元件系無線通訊產業之關鍵性零組件，在通訊產業蓬勃快速發展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢下，近幾年來已成為手機及無線區域網路不可或缺的重要關鍵元件。雖然全球智慧型手機年出貨量已進入低度成長，但隨著VCSEL的應用導入手機及5G世代的開啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無減，同時超高頻通訊的普及以及光通訊應用的崛起對于砷化鎵元件都有強勁的需求。
目前，中國作為電子信息制造業大國，下游應用市場廣闊。根據前瞻預計，2019-2024年，中國砷化鎵元件市場CAGR在15%左右，快于全球市場同期增速，中國市場規模占全球比重將進一步提升。到2024年，中國砷化鎵元件市場規模將達到551.3億元。
